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Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

उत्पाद का विवरण

उत्पत्ति के प्लेस: सीएन

ब्रांड नाम: Dayoo

भुगतान और शिपिंग की शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा: स्वनिर्धारित

मूल्य: CNY

पैकेजिंग विवरण: पैकेट

प्रसव के समय: 60 कार्यदिवस

आपूर्ति की क्षमता: कारखाना

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प्रमुखता देना:
उच्च तापीय चालकता:
हाँ
थर्मल शॉक प्रतिरोध:
अच्छा
अधिकतम गति:
1380 ℃
झुकने की शक्ति:
280 एमपीए
पवित्रता:
98%
सम्पीडक क्षमता:
> 2 जीपीए
उच्च तापीय चालकता:
हाँ
थर्मल शॉक प्रतिरोध:
अच्छा
अधिकतम गति:
1380 ℃
झुकने की शक्ति:
280 एमपीए
पवित्रता:
98%
सम्पीडक क्षमता:
> 2 जीपीए
Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications
Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts
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